Потому чо через R4 в первом случае течёт и ток базы и ток коллектора, а во втором случае только ток базы, из-за чего падение напряжения на R4 меньше, из-за чего напряжение эмиттера тоже меньше, а напряжение базы достаточно сильно "привязано" к напряжению эмиттера, поэтому оно тоже снижается.

Если академически, то при обрыве R3 транзистор перестаёт усиливать, из-за чего входное сопротивление каскада значительно снижается, а оно по постоянному току подключено параллельно R2. Отсюда и снижение напряжения...

.

Добавлено after 25 minutes 53 seconds:

Если обрыв востананавливаем, то ток коллектора начинает протекать через R4, создавая на нем падение . И именно это влечет повышение на базе(на чуть выше чем на выводе эмитере, на около 0.7в, т.к. эти0,7,в падают на аноде перехода база эмитер ). Т.е. ключевым моментом тут является ток протекающий через R4?

Да, рассуждения верные.

PCBWay - всего $5 за 10 печатных плат, первый заказ для новых клиентов БЕСПЛАТЕН

Сборка печатных плат от $30 + БЕСПЛАТНАЯ доставка по всему миру + трафарет

Онлайн просмотровщик Gerber-файлов от PCBWay + Услуги 3D печати

Спасибо, уяснил.

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.

Подробнее>>

Хочу сделать преобразователь уровня 5 V <-> 3.3 V.

Нашел схемы:


Как я понимаю, они полностью аналогично, за исключением того, что во второй используются два биполярных NPN транзистора, а в первой N-канальный полевой транзистор.

На схемах, негде нет "земли", тогда почему она есть на готовых платах?

Новый аккумулятор EVE серии PLM для GSM-трекеров, работающих в жёстких условиях (до -40°С)

Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре. Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.

Подробнее>>

Очевидно потому, что готовые платы выполнены по немного другой схеме

p.s. Нарисуйте на ваших схемах горизонтальную линию. Напишите у её левого конца GND. то же самое сделайте у правого... Оно?

Slabovik, правильно ли я понял, что GND это просто объединение "земли" у 5V и 3.3, в схеме транзистора она не нужна?

У меня нет вашей платы - она у вас. Возьмите мультиметр, и проверьте, куда она подсоединена и совпадают ли схемы, имеющиеся у вас, печатной плате, либо там что-то другое...

Slabovik, у меня ее тоже нет. Просто нашел схему и готовую плату, на схеме GND явно не обозначен, а плате он подключается отдельно, вот и хочу понять, почему?

Добавлено after 22 minutes 9 seconds:




Получается, да?

Пришлось перерисовывать. Подскажите, по распределению потенциалов в местах цифра в кружочке.
Написано , что в точке 1 будет 5в.
В точке 3 будет5.5в

Непонятно почему указано, что в точке 2 будет4.5в
Не многовато ли?? Ведь напряжение эмитера т4= 0в, а значит в точке 3 должно быть примерно 0.5в(падение на ПН переходе) или я ошибаюсь?


Но при этом написано, что в точках 7 и 5 напряжения будут около 0,5в, т.к. на эмитерах транзисторов т1 и т2 напряжение равно нолю.

Транзистор Т4 нарисован ошибочно. Он должен быть PNP, эмиттером вверх.

Не факт.. Вот подобная схема, где оба выходных транзистора одинаковые:

Это несколько другая история. Тут "расщепление фаз", необходимое из-за выходных транзисторов одного типа проводимости, делается на VT2, а в том, нарисованном, его нет, ибо оно вовсе не требуется в случае, если всё как я сказал.

mickbell прав. Схема jast321 даже чисто теоретически правильно работать не будет, т.к. изменение коллекторного тока транзистора T2 будет наводить синфазные потенциалы на базах Т3 и Т4, что вызовет их синхронное открытие. В схеме АлександрЛ транзистор VT2 играет роль эдакого фазовращателя.

Срисовал правильно.
Вот источник
https://books.google.ru/books?id=LAHzAw ... 8B&f=false

Страница 51
Ну а что касаемо моего вопроса, разве может быть в точке "2" потенциал 4.5в ?
Схему я повторять не собираюсь. Мне важна теоретическая часть. Может и не совсем правильно будут работать раз будут оба синхронно откравать ться/закрываться, но вопрос в другом.

А ведь действительно, само построение схемы из книги по ссылке таково, что Т4 действительно должен быть другой проводимости..

Даа...и конденсаторы выходные у нас измеряются в килоомах. Еще резистор между базами 10 кОм -- это очень неправдоподобно. Выходит, ток коллектора Т2 порядка 100 микроампер а ток базы, следовательно, единицы мкА. Резистор между базами стараются сделать меньше, а лучше поставить несколько диодов иди даже стабистор (!) для обеспечения стабильности напряжения между базами.

А касаемо вашего вопроса уже ответил mickbell, вы не читаете ответы ?

jast321
Ну да, мало того что емкости в килоомах, таки на схеме указаны выходные комплементарные транзисторы,
а они уж точно не могут быть одной проводимости. Ко всему нужно подходить творчески, схему рисовал человек, а людям свойственно ошибаться

Ой, прошу прощения. Ответ не заметил.
Надо закрывать эту книгу:)
Спасибо всем.

А где там сказано, что они комплементарные ?