И не пахнет, т.к. имеем дело не с резистором, только в большинстве случаев можно считать транзистор в насыщении резистором ( до тех пор, пока он из него не начнет выходить ) Базовый ток как-бы пробивает "дырку" в пн-переходе, куда устремляются носители заряда из коллектора. Причем дырка эта меняет свое сопротивление нелинейно от температуры (вторичный пробой как раз из-за этого), а иногда и не требует тока базы для существования (лавинная инжекция a.k.a. лавинный режим работы транзистора) И самое интересное - для частот выше граничной открытый транзистор играет роль резистора а не диода (особенно этим хороши старые мпшки и гт403, у которого граничная находится в аудио-диапазоне)
Б-Э это падение на пн-переходе, а К-Э это падение на канале
Я себе транзистор по привычке как два диода представил Точно!
_________________ память не сверло Имея один мультиметр, можно измерить всё, кроме платы самого мультиметра. Имея два мультиметра, можно измерить вообще всё.
Понадобилось мне тут сделать низковольтный изолирующий преобразователь. От источника 3.3 В 0.5 А нужно получить 5-6 В нестабилизированных, до 200 мА. Вспомнил про примечательный советский транзистор - КТ863А, специально для низковольтных конверторов его и делали. Низкое напряжение насыщения при токах в единицы Ампер, при этом H21э больше 100. Колечко только крошечное взял, витков довольно много получилось. А ну и ладно. Без каприз завёлся на 18 кГц. В нагрузке диодный мостик на 1N4148, после него 5.7В постоянки при токе нагрузки 160 мА. Транзисторы, очевидно, холодные, думаю спилить у них фланцы - а то они в схеме самые огромные (ТО-220)
Обязательным условием долгой и стабильной работы Li-FePO4-аккумуляторов, в том числе и производства EVE Energy, является применение специализированных BMS-микросхем. Литий-железофосфатные АКБ отличаются такими характеристиками, как высокая многократность циклов заряда-разряда, безопасность, возможность быстрой зарядки, устойчивость к буферному режиму работы и приемлемая стоимость. Но для этих АКБ очень важен контроль процесса заряда и разряда для избегания воздействия внешнего зарядного напряжения после достижения 100% заряда. Инженеры КОМПЭЛ подготовили список таких решений от разных производителей.
Может вам попробовать конденсаторный насос? Он правда кучу места займёт. Но это лучше и проще. Просто батарея конденсаторов понадобится, простецкий генератор и ключи.
_________________ память не сверло Имея один мультиметр, можно измерить всё, кроме платы самого мультиметра. Имея два мультиметра, можно измерить вообще всё.
Компания EVE выпустила новый аккумулятор серии PLM, сочетающий в себе высокую безопасность, длительный срок службы, широкий температурный диапазон и высокую токоотдачу даже при отрицательной температуре.
Эти аккумуляторы поддерживают заряд при температуре от -40/-20°С (сниженным значением тока), безопасны (не воспламеняются и не взрываются) при механическом повреждении (протыкание и сдавливание), устойчивы к вибрации. Они могут применяться как для автотранспорта (трекеры, маячки, сигнализация), так и для промышленных устройств мониторинга, IoT-устройств.
Базовый ток как-бы пробивает "дырку" в пн-переходе, куда устремляются носители заряда из коллектора
коллектор - собиратель. эмиттер - вливатель, впрыскиватель. в биполярных n-p-n транзисторах имеются два p-n-перехода - коллекторный и эмиттерный. причем площадь коллекторного перехода в несколько раз больше площади эмиттерного. также, концентрация основных носителей (электронов) в эмиттере в сотни раз больше, чем "дырок" в базовой области и в несколько раз выше, чем в коллекторной n-области. таким образом, базовая n-область БТ бедна основными носителями - "дырками", для n-p-n и электронами, для p-n-p. Также, толщина этой низколегированной области мала, по сравнению с длинной свободного пробега электронов, впрыскиваемых из эмиттера. Эти особенности в корне меняют картину. Именно близкое взаимодействие двух переходов превращают структуру n-p-n в транзистор. При смещении эмиттерного перехода в прямом, а коллекторного в обратном направлении, электроны из эмиттерной n-области впрыскиваются в слаболегированную и тонкую p-базу. дырки из базы устремляются в эмиттер. однако, из-за разницы концентраций, электронная составляющая тока эмиттерного перехода преобладает. база переполняется неосновными носителями и они дрейфуют в сторону коллектора, под действием диффузии и поля коллекторного перехода. коллектор собирает инжектированные эмиттером электроны. потери на рекомбинацию и базовый ток малы. из-за этого ток коллектора немного меньше тока эмиттера... из двух диодов не сделать БТ. никогда... этот основной принцип работы БТ (неосновные носители в базовой области) становится одной из основных проблем: транзистор быстро открывается, но медленно и неохотно закрывается. впрыснутые из эмиттера в базу электроны, должны рекомбинировать с немногочисленными "дырками" и втянутся в коллектор. это занимает приличный кусок времени. т.е. даже после запирания эмиттерного перехода, коллекторный переход будет еще некоторое время находиться в проводящем состоянии, пока неосновные не рассосутся окончательно. это касается и приемников бт - igbt
_________________ душа человеческая темна и с легкостью обращается ко злу
Господа, так как эта тема у вас, что-то получилось? Испытываю жгучий интерес к повышающим преобразователям
Только вы здесь ставили неслыханные рекорды, запуская его от 0.3 Вольт. Мне же нужно попроще - устойчивый старт от 0.7 В и надежная работа от 1.0 В при напряжении нагрузки 8-12 В и токе до 1 А.
Эх, если б я сохранил ссылку на источник. Там всё, и параметры трансформаторов и номиналы элементов. А так только идея. Хотя схемка на мой взгляд сыровата. Мне понравился низковольтный запуск на Т1, из за него и сохранил картинку. Но он короткодействующий, а перезапуск в схеме не предусмотрен. Ну можно конечно пару раз щелкнуть выключателем. Синхронный выпрямитель Т3 при выходном напряжении 5В считаю излишним, достаточно диода Шоттки. Шимку естественно можно ставить любую, на ваш вкус. Источник был на английском языке. Поиск по картинке мне ничего не дал, может этой странички уже и нет в интернете.
...интересно как они добились старта 0,3В ведь, у LD1010D параметр VGS(TH) от 0,6 до 1,2В
При 0,3В питании Т1 находится в линейном режиме. При коэффициенте трансформации 1:45 видимо хватает усиления, чтобы шумы раскачались в периодический сигнал. Ну а дальше больше, вплоть до отсечки тока. Забавно что переход Т1 работает как выпрямитель. Пока С3 разряжен, колебания максимальной амплитуды. С3 заряжается и запирает переход. Для старта хватает, а дальше питание идет штатно от IC2. UTF, вам же можно взять любую подходящую схемку с ШИМ и мосфетами, переделать под свои нужды, питать ШИМ от выходного напряжения. Варианты разные. Вам только нужно организовать старт системы от низкого входного напряжения. Кстати, забываю спросить: какого сечения провод вы будете использовать для соединения с солнечной батареей? Судя по вашим запросам (8-12В 1А) на входе у вас будет ампер 15, не меньше. При таком токе даже потеря в проводах 0,2В будет весьма существенной. Стоит ли овчинка выделки?
Кстати, забываю спросить: какого сечения провод вы будете использовать для соединения с солнечной батареей? Судя по вашим запросам (8-12В 1А) на входе у вас будет ампер 15, не меньше. При таком токе даже потеря в проводах 0,2В будет весьма существенной. Стоит ли овчинка выделки?
Каждый их двух солнечных элементов C60, которые планирую использовать, не могут дать ток больший, чем 6А при суммарном напряжении 1.0 В -
Полагаете, что при 8-12В на выходе бустера 1А из него не выжать?
Последний раз редактировалось UTF Вс сен 01, 2019 23:30:58, всего редактировалось 7 раз(а).
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 81
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения
Вход
Регистрация
Правила
FAQ
Поиск
Точно!
